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Sinomags STK-616E 是一款芯片集成澳门威斯尼斯人国际,可感应 SOIC-封装一半引线中流过的电流。该导电铜线路径的功耗非常低 (0.7 - 0.8mΩ)。在塑料封装内相对于单片 CMOS 传感器的位置固定电流导体,即可获得经出厂校准的全集成电磁效应芯片(TMR隧道磁阻技术)澳门威斯尼斯人国际。

在封装内部,电流产生的磁通密度由两组电磁效应芯片以差分方式感应。因此,在快速模拟前端,外部共模场的影响降至最小。这些外部场源自 IC 周围密集的电力电子元件和电感,甚至可能来自地球磁场。之后,与流过引线框架的电流成比例的残余信号将会放大,从而提供高速线性模拟量输出电压。

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TMR隧道磁阻与电流导体极为贴近可确保在整个温度范围内获得良好的信噪比和准确的信号。表面贴装传感器体积小巧,可节省电路板空间并降低成本,同时保持封装的初级引线与相对次级侧引线之间的高电压隔离额定值。

该产品适用于航空,电子,雷达和电子对抗和工业应用,如高端电源逆变器、服务器场和主板的电力监控,以及电机控制和负载检测、电源(不间断和开关模式)和过流检测。

如果您需要更多产品信息,请与技术人员联系:

李工:18576410868(微信同号)




SOP16-芯片级澳门威斯尼斯人国际电气参数

STK-616E

参数

符号

单位

Min

Typ

Max

备注

原边测试电流范围

I_pn

A

-20


20

STK-616E-20AB




-30


30

STK-616E-30AB




-35


35

STK-616E-35AB




-65


65

STK-616E-65AB

供电电压

Vcc

V


5


+/-5%

功耗

Icc

mA


5

10


原边内阻

Rip

mO


0.6



静态电压

Voff

V

2.48

2.5

2.52

Vout @ I p=0 A

输出内阻

R out

Q


1


Vout

增益偏差

G_th

mV/A


100


STK-616E-20AB





66


STK-616E-30AB





38.5


STK-616E-35AB





30.75


STK-616E-65AB

增益误差

Err_G

%G_th

-1


1

Trimmed in the factory @ 25 C

Note 2)

额定线性度误差

Non-L

%I pn


±1


±I pn

阶跃响应时间

T res

s


3

5

@90% of I pn

频率带宽(-3dB)

BW

kHz


100


No RC circuit

输出电压噪声

DC ~ 100 kHz @250 kHz

Vnoise

mVpp


20


STK-616E-20AB

精度 @ 25 C

X

% of I pn


±1


@ 25C

精度 @ -40C~105C

X TRange

% of I pn

-3.5


3.5

-40 C ~ 105C


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